17일 삼성전자는 최선단 기술을 적용한 12나노급 D램을 양산한다고 밝혔다. 12나노는 회로 선폭이 머리카락 굵기의 약 1만분의 1에 불과한 첨단 반도체 생산 공정으로, 육안으로는 볼 수 없는 수준이다.

 전(前) 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상되고, 소비 전력은 약 23% 개선됐다. 탄소 배출과 에너지 사용을 줄이는데 적극 동참하고 있는 글로벌 기술 기업들에게 최상의 솔루션이 될 것으로 전망된다.

삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 늘렸다. D램의 커패시터 용량이 늘어나면 데이터 신호의 전위차가 커져 구분이 쉬워진다. 여기에 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용해 업계 최선단 공정을 완성했다.

DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.

최근 D램 메모리 시장은 업황 하락으로 불황을 겪고 있다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 글로벌 D램 시장(매출 기준)은 올해 443억2200만달러 규모로 전년 대비 44.1% 감소할 것으로 예상된다.

다만 내년부터는 성장세로 전환할 전망이다. 2024년 15.3%, 2025년 49.1%, 2026년 24.2%, 2027년 3.9% 증가가 예상된다. 2027년에는 983억3400만달러 규모로 올해 대비 2배 이상으로 커질 전망이다.

현재 삼성전자는 지난해 4분기 전체 D램 시장 점유율 42.7%를 기록하며 1위를 유지하고 있다.